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繼電器的振動,可讓MOSFET在開關關閉時被破壞

發(fā)布時間:2018-03-16 來源:電子說 責任編輯:lina

【導讀】請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機械開關而產生的瞬態(tài)電壓。當驅動感性負載時,不要將機械開關與MOSFET并聯(lián)。當繼電器關閉時,由于繼電器的啟動時間短,產生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt),這通常是由于產生了大量的dv/dt而累積起來的。


潛在問題:
 
當MOSFET處于關閉狀態(tài)時,開關的開啟會導致MOSFET的破壞:由于機械開關的短暫時間,高的dvdt會激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管,并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對短路損壞。
 
Note:由于繼電器的振動,MOSFET也可以在開關關閉時被破壞。
 
 
預防措施:
 
1.使用一個雙極晶體管,用一個穩(wěn)壓二極管保護來限制振蕩電壓,其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負載的推薦值。
 
 
2.使用一個zener保護二極管,其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。
 


 
 
 
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