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拓撲優(yōu)化：解鎖電池供電設(shè)備高效設(shè)計密碼
隨著電池供電設(shè)備變得越來越普及，快速充電對于提升此類設(shè)備的便利性至關(guān)重要。本文討論了設(shè)計高效電池充電系統(tǒng)時必須考慮的標準，介紹了較為常用的拓撲，并闡述了安森美 (onsemi) 的功率半導(dǎo)體如何助力實現(xiàn)高性能方案。
2025-05-23
拓撲 電池供電設(shè)備
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鋁殼電阻技術(shù)解析：原理、優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)生態(tài)全景
鋁殼電阻是以鋁合金為外殼封裝的大功率電阻器件，其核心由電阻合金絲（如鎳鉻合金）繞制于陶瓷或金屬骨架上，通過高導(dǎo)熱絕緣材料灌封而成。其工作原理基于焦耳定律（ P = I 2 R P=I2R），將電能轉(zhuǎn)化為熱能，并通過鋁合金外殼的散熱結(jié)構(gòu)快速釋放熱量，從而維持電路穩(wěn)定性。
2025-05-23
鋁殼電阻
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超聲波清洗暗藏"芯片密碼"：二氧化硅顆粒撞擊機理揭秘
在對某塑封半導(dǎo)體器件實施破壞性物理分析(DPA)時，檢測發(fā)現(xiàn)芯片表面呈現(xiàn)玻璃鈍化層微裂紋與金屬化層機械劃傷的復(fù)合缺陷。通過掃描電子顯微鏡(SEM)對缺陷區(qū)域進行微觀形貌觀測，結(jié)合能譜儀(EDS)成分分析，揭示其形成機理：在開封后的超聲波清洗工序中，高頻振蕩能量導(dǎo)致環(huán)氧模塑料內(nèi)部二氧化硅填充顆...
2025-05-22
超聲波清洗 裂紋機理
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科技自立自強 筑牢強國之基——金天國際全球首發(fā)雪蓮養(yǎng)護貼活力型引領(lǐng)生命養(yǎng)護革命
5月20日,由金天國際主辦的"激活男性本源,讓世界充滿愛"科技創(chuàng)新發(fā)布會在宿遷盛大舉行。這場以"科技自立自強,筑牢強國之基"為核心的活動,正式發(fā)布了凝聚20年科研結(jié)晶的劃時代產(chǎn)品——雪蓮養(yǎng)護貼(活力型)。該產(chǎn)品深度融合AI算法與千年草本智慧,不僅開創(chuàng)了全球生殖養(yǎng)護領(lǐng)域的新紀元,更以硬核科技實力詮釋...
2025-05-21
金天國際
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滑動分壓器的技術(shù)解析與選型指南
水泥電阻是一種以陶瓷或石英管為外殼、內(nèi)部填充由水泥基復(fù)合材料（含導(dǎo)電粉末如碳粉或金屬氧化物）制成的固定電阻器。其核心結(jié)構(gòu)包括電阻體、引線及耐熱外殼，通過特殊封裝工藝實現(xiàn)高功率承載能力，適用于大電流、高負荷場景。
2025-05-20
滑動分壓器
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智能終端的進化論：邊緣AI突破能耗與安全隱私的雙重困局
隨著人工智能的不斷發(fā)展，其爭議性也越來越大；而在企業(yè)和消費者的眼中，人工智能價值顯著。如同許多新興科技一樣，目前人工智能的應(yīng)用主要聚焦于大規(guī)模、基礎(chǔ)設(shè)施密集且高功耗的領(lǐng)域。然而，隨著人工智能應(yīng)用的高速發(fā)展，大型數(shù)據(jù)中心給電網(wǎng)帶來的壓力日益增大，高度密集型應(yīng)用的可持續(xù)性和經(jīng)濟性...
2025-05-20
人工智能應(yīng)用 邊緣領(lǐng)域 邊緣AI
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光敏電阻從原理到國產(chǎn)替代的全面透視與選型指南
光敏電阻（Photoresistor/LDR）是一種基于光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，其電阻值隨入射光強度變化而改變。核心材料為硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）等半導(dǎo)體，通過光照激發(fā)載流子（電子-空穴對），降低材料電阻值。無光照時，暗電阻可達1.5MΩ；強光照下，亮電阻可低至1kΩ以下。
2025-05-20
光敏電阻
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MOSFET技術(shù)解析：定義、原理與選型策略
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種通過柵極電壓控制源漏電流的半導(dǎo)體器件，具備高輸入阻抗、低功耗、高頻特性等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、通信設(shè)備等領(lǐng)域。
2025-05-20
MOSFET
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線繞電阻與金屬膜電阻技術(shù)對比及選型指南
在電子電路設(shè)計中，電阻作為基礎(chǔ)元件，其性能直接影響電路的穩(wěn)定性與精度。線繞電阻與金屬膜電阻作為兩大主流類型，在技術(shù)特性與應(yīng)用場景上存在顯著差異。線繞電阻以高精度、強過載能力著稱，常用于工業(yè)控制、儀器儀表等對穩(wěn)定性要求嚴苛的領(lǐng)域；而金屬膜電阻則憑借小型化、低成本優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于...
2025-05-20
線繞電阻 金屬膜電阻
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