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VJ系列:Vishay推出無磁性電容器用于MRI(磁力共振影像)設(shè)備

發(fā)布時間:2011-08-15 來源:Vishay Intertechnology, Inc.

產(chǎn)品特性:

  • 無磁性材料制造
  • 濕法制造工藝和可靠的貴金屬電極(NME)系統(tǒng)
  • 多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件

應(yīng)用范圍:

  • 用于MRI(磁力共振影像)設(shè)備


近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于MRI(磁力共振影像)設(shè)備的新系列無磁性表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ系列無磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質(zhì),提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。

近年在超高電磁場技術(shù)發(fā)展下MRI的最新技術(shù)可以大大提高影像的清晰度。用于MRI或周邊設(shè)備中的電子元器件要求采用不會干擾磁場的無磁性元器件。為滿足這種需求,Vishay的VJ系列MLCC采用無磁性材料制造,在最后封裝之前針對磁特性進行了100%的安全篩選。

Vishay的VJ系列器件采用濕法制造工藝和可靠的貴金屬電極(NME)系統(tǒng)。Vishay的新款無磁系列電容器可以在使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂粘合或紅外回流焊的SMT工序中進行組裝。這電容器比含有磁性材料的標(biāo)準(zhǔn)電容器的干擾較少。器件一般用在MRI設(shè)備、植入式醫(yī)療設(shè)備、對強磁性敏感的設(shè)備、電子測試系統(tǒng)和高端音頻放大器的濾波電路中。

VJ系列具有0402至3640共11種外形尺寸,可承受6.3VDC~3000VDC的額定電壓。器件的電容值范圍為0.5pF~56nF(采用C0G電介質(zhì))和100pF~6.8μF(采用X7R/X5R電介質(zhì)),工作溫度范圍-55℃~+125℃。電容器的容值溫度系數(shù)(TCC)在-55℃~+125℃(C0G)條件下為±30ppm/℃,在-55℃~+85℃(X5R)條件下為±15%,-55℃~+125℃ (X7R)條件下為±15%。

器件符合RoHS指令2002/95/EC及符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

VJ系列無磁性電容器現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),標(biāo)準(zhǔn)訂貨的供貨周期為九周到十四周。

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