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防輻射硅仍然是空間電子領(lǐng)域的標(biāo)桿
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和輪廓，設(shè)計(jì)人員在某些情況下可能會(huì)考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 COTS 電子設(shè)備與抗輻射（rad-hard）設(shè)備有很大不同。Si MOSFET等抗輻射組件經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、測(cè)試和驗(yàn)證，可在最?lèi)毫拥墓ぷ鳁l件下運(yùn)行，例如長(zhǎng)時(shí)間暴露在太...
2021-07-04
防輻射硅 空間電子
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隔離信號(hào)和電源的4個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題
高壓電路設(shè)計(jì)需要通過(guò)隔離來(lái)保護(hù)操作人員、與低壓電路進(jìn)行通信并消除系統(tǒng)內(nèi)不必要的噪聲。數(shù)字隔離器提供了一種簡(jiǎn)單可靠的方法，可以在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高壓隔離通信。
2021-07-03
隔離信號(hào)和電源 常見(jiàn)問(wèn)題
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什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。其中，SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開(kāi)關(guān)時(shí)的電壓和電流的變化已經(jīng)無(wú)法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線(xiàn)電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電...
2021-06-10
柵極 源極電壓 浪涌
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A2B技術(shù)和數(shù)字麥克風(fēng)如何在新興汽車(chē)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的性能
這篇關(guān)于Automotive Audio Bus? (A2B?，汽車(chē)音頻總線(xiàn)）技術(shù)的文章介紹數(shù)字麥克風(fēng)和連接技術(shù)的最新進(jìn)展。這些創(chuàng)新正在促使支持新世代汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)的變革性應(yīng)用得到迅速采用。
2021-06-09
A2B技術(shù) 數(shù)字麥克風(fēng) 新興汽車(chē)應(yīng)用
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用于快速測(cè)試電路信號(hào)響應(yīng)的袖珍型白噪聲發(fā)生器
電路中的噪聲通常都是有害的，任何好電路都應(yīng)該輸出盡可能低的噪聲。盡管如此，在某些情況下，一個(gè)特性明確且沒(méi)有其他信號(hào)的噪聲源就是所需的輸出。
2021-06-04
測(cè)試 電路信號(hào) 白噪聲發(fā)生器
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電磁干擾的標(biāo)準(zhǔn)、成因和緩解技術(shù)
工業(yè)、汽車(chē)與個(gè)人計(jì)算應(yīng)用中的電子系統(tǒng)愈發(fā)密集且互相連接。為了改善這類(lèi)系統(tǒng)的尺寸和功能，因此在封裝各種不同電路時(shí)皆采取近封裝距離。有鑒于前述限制，降低電磁干擾(EMI)影響也逐漸成為重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮。
2021-06-03
EMI 標(biāo)準(zhǔn) 成因 緩解技術(shù)
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如何抑制來(lái)自開(kāi)關(guān)電源的復(fù)雜的FM頻段傳導(dǎo)輻射？
如何抑制來(lái)自開(kāi)關(guān)電源的復(fù)雜的FM頻段傳導(dǎo)輻射？雖然EMI屏蔽和鐵氧體夾是較受歡迎的EMI解決方案，但它們價(jià)格昂貴、體積笨重，有時(shí)使用效果不理想。我們可以通過(guò)了解FM頻段EMI噪聲的來(lái)源，以及利用電路和PCB設(shè)計(jì)技術(shù)從源頭進(jìn)行抑制，以降低這些噪聲。
2021-06-03
抑制 FM頻段 EMI
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CTSD精密ADC — 第3部分：實(shí)現(xiàn)固有混疊抑制
在CTSD精密ADC系列文章的第3部分，我們將重點(diǎn)闡述CTSD ADC的無(wú)混疊特性，它可在不增加任何外圍設(shè)計(jì)的情況下提高抗干擾能力。第1部分 展示了一種新的基于連續(xù)時(shí)間∑-? DAC(CTSD)架構(gòu)、易于使用的無(wú)混疊精密ADC，可提供簡(jiǎn)單、緊湊的信號(hào)鏈解決方案。 第2部分 向信號(hào)鏈設(shè)計(jì)人員介紹了CTSD技術(shù)。本文比較...
2021-06-03
CTSD ADC 混疊抑制
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與模數(shù)轉(zhuǎn)換器的噪聲相比，電阻噪聲怎么樣？
模數(shù)轉(zhuǎn)換器的總噪聲頻譜密度性能實(shí)際上反映為一系列參數(shù)，如熱噪聲、抖動(dòng)以及量化噪聲——也就是特定帶寬（BW）上的信噪比（SNR）。在設(shè)計(jì)人員試圖理 解被采樣信號(hào)中的轉(zhuǎn)換器最低可分辨“步進(jìn)”時(shí)，轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的信噪比可以給他們提供現(xiàn)實(shí)的期望值。這個(gè)步進(jìn)也被稱(chēng)為最低有效位或LSB。對(duì)于一個(gè)...
2021-06-02
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 噪聲 電阻噪聲
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