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IR 推出堅固耐用、具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列

發(fā)布時間:2010-04-09 來源:電子元件技術網

產品特性:
  • 采用Gen 10.2 技術
  • 低至1.0 mΩ 的導通電阻
  • 承受24V 至100V 的電壓
  • 寬泛的電壓和封裝
  • 符合 AEC-Q101 標準
應用范圍:
  • 適用于需要低導通電阻的各種應用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列,適用于需要低導通電阻的各種應用,包括電動助力轉向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開關,以及內燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺的其它重載應用。

新器件采用了 IR 經過驗證的 Gen 10.2 技術,可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ,在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至 100V 的電壓。一些器件還可將 D2Pak-7P 封裝和D2Pak 封裝的最大額定電流分別調整為 240A 和195A。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR 這些經過優(yōu)化的汽車專用MOSFET具有低導通電阻,具有寬泛的電壓和封裝。由于其表面形成了鈍化層,因而可以提高可靠性。此外,該器件的材料經過調整、優(yōu)化后可達到堅固、耐用的效果。” 

IR 的 汽車用 MOSFET 將動態(tài)和靜態(tài)部分的平均測試以及100% 自動晶圓級視覺檢測作為 IR要求零缺陷的汽車質量理念的一部分。AEC-Q101 標準要求導通電阻在經過 1000 次溫度循環(huán)測試后,變化幅度不能超過 20%。然而,經過延長測試后,IR 的新款 AU 材料顯示,在 5000 次溫度循環(huán)時的最大導通電阻變化少于10%,體現(xiàn)了這款材料的高強度和耐用性。 

新器件符合 AEC-Q101 標準,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。


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