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Vishay發布業內最低導通電阻功率MOSFET用于手持電子設備

發布時間:2011-03-16 來源:華強電子網

產品特性:
  • 具有更低的傳導損耗
  • 采用超薄Thin PowerPAK SC-70封裝
應用范圍:
  • 手持式電子設備





SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內具有N溝道MOSFET當中最低的外形;SiA429DJT是具有最低導通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK® SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內,新的SiA444DJT實現了N溝道MOSFET當中業內最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻。

如果手持設備需要比標準0.8mm更薄的N溝道MOSFET,高度為0.6mm的SiA444DJT可以滿足要求,其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%,比標準的0.8mm高度小19%。此外,該MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低導通電阻,最大導通電阻與柵極電荷乘積是衡量MOSFET在DC/DC轉換器應用中的優值系數(FOM),該器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的業內最低FOM。

SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的業內最低導通電阻,足以勝任應用對更薄P溝道器件的要求。該器件在1.8V下的導通電阻比最接近的競爭器件小12%,包括標準0.8mm外形的MOSFET和所有 2mm x 2mm的P溝道MOSFET。對于手持式電子設備,SiA429DJT和SiA444DJT更低的導通電阻意味著更低的傳導損耗,從而延長在充電周期之間的電池壽命。

SiA444DJT和SiA429DJT所采用的超薄Thin PowerPAK SC-70封裝針對手機、智能手機、MP3播放器、數碼相機、電子書和平板電腦等小型手持式電子設備進行了優化。在這些設備中,SiA444DJT可用于高頻DC/DC轉換器,而SiA429DJT是負載開關或充電開關的理想之選,還可以在DC/DC降壓轉換器應用中用作高邊開關。

這些MOSFET經過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定及RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。


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