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經AEC-Q101認證的40V N溝道功率MOSFET

發布時間:2013-01-10 責任編輯:hedyxing

【導讀】近日,Vishay推出D2PAK封裝的新款40V N溝道TrenchFET功率MOSFET,該產品通過AEC-Q101認證并具有1.1mΩ的低導通電阻和200A的連續漏極電流。

Vishay40V N溝道TrenchFET功率MOSFET
Vishay40V N溝道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay宣布推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET。SQM200N04-1m1L特別針對“重型”汽車應用,是Vishay采用兼具低電阻和高電流等級的7腳D2PAK封裝的首款功率MOSFET。

通過高密度TrenchFET技術,器件在10V和4.5V下實現了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大導通電阻,將傳導損耗最小化,并能在更低的溫度下工作。此外,器件的連續漏極電流達200A,工程師能夠設計出更具魯棒性的產品,為關鍵的安全應用提供額外的安全余量。

今天發布的SQM200N04-1m1L適用于電動轉向助力等高功率車用電機驅動應用。器件采用了專門設計,在生產過程中進行了100%的測試,可承受100A和500mJ的單個雪崩脈沖。器件具有0.4?C /W的低熱阻(結至外殼),工作溫度范圍-55?C~+175?C。

SQM200N04-1m1L符合RoHS,通過100%的Rg和UIS測試。器件豐富和擴展了通過AEC-Q101認證的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。

新款車用功率MOSFET現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
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