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電驅逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一...
2024-06-12
電驅逆變器 SiC 功率模塊 芯片
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如何找到一款更適合高壓BMS解決方案？
電動汽車的電池管理系統（BMS）是電動汽車中用于監測和管理電池系統性能的關鍵組件，它有助于平衡電池電量，防止過度充電和過度放電，從而確保鋰離子電池的安全、可靠和有效運行，同時優化電池的整體效率和壽命。
2024-06-11
高壓BMS
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
MOSFET 器件 高壓CV IGBT BJT
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單相光伏并網系統的拓撲結構簡介
在單相小功率光伏并網系統中，有隔離型和非隔離型兩種拓撲結構。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓撲結構，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓撲結構。
2024-06-08
單相光伏 并網系統 拓撲結構
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創新音頻解決方案：類比半導體的國產中大功率功放技術
上海類比半導體技術有限公司（以下簡稱“類比半導體”或“類比”）作為國內領先的模擬及數?；旌闲酒O計商，正通過其創新的中大功率模擬/數字功放技術，重塑消費電子市場中高端音頻產品的技術標準。隨著國產半導體產業的快速崛起，類比半導體基于其17年功放研發經驗的團隊，另辟賽道，專注中大功率模擬...
2024-06-08
音頻 類比半導體 大功率功放
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運用雙MOSFET避免SEU的影響
很久很久以前，在一個遙遠的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發，而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。
2024-06-08
雙MOSFET SEU
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“固本強基”成效顯著，元器件、設備企業積極報名第104屆中國電子展
元器件和設備制造是電子信息產業的底座，底座牢不牢固，決定著整個產業能否真正行穩致遠。在過去的2023年當中，雖然依舊面臨著多重風險與挑戰，但我國電子信息行業產業鏈、供應鏈韌性顯著增強，進一步提升了整個行業的安全水平，也為整個國民經濟積極發揮了“壓艙石”“倍增器”“催化劑”的重要作用。
2024-06-07
元器件 設備 中國電子展
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跨電感電壓調節器的多相設計、決策和權衡
最近推出的跨電感電壓調節器(TLVR)在多相DC-DC應用中頗受歡迎，這些應用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負載供電。這一趨勢主要基于該技術出色的瞬態性能。TLVR還支持靈活的設計和布局，但有幾個缺點。本文闡述了TLVR設計選擇如何影響性能參數，并討論了相關權衡。
2024-06-06
跨電感 電壓調節器
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SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
本文將介紹根據在上一篇文章中測得的開關波形，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。
2024-06-06
SiC MOSFET 線性近似分割 波形
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