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STx7N95K3:ST推出全新系列功率MOSFET晶體管

發(fā)布時間:2009-06-01

產品特性:
  • 950V的擊穿電壓級別
  • 可以使用一個單一950V MOSFET取代雙晶體管電路
  • 能夠承受高于擊穿電壓的電涌
  • 額定雪崩電流為9A
  • 導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下
應用范圍:
  • 液晶顯示器
  • 電視機
  • 節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產品

日前,意法半導體推出全新系列功率MOSFET晶體管,新產品的擊穿電壓更高,抗涌流能力更強,電能損耗更低,特別適用于設計液晶顯示器、電視機和節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等產品的高能效電源。

STx7N95K3系列為功率MOSFET新增一個950V的擊穿電壓級別產品,此一新級別的產品特別適用于通過把工作電壓提高到400V或更高來降低能耗的系統(tǒng)。與競爭品牌的900V產品相比,意法半導體全新950V功率MOSFET的安全工作面積更大,可靠性更高。高壓電源設計人員還可以使用一個單一950V MOSFET取代雙晶體管電路,從而簡化電路設計,縮減尺寸,減少元器件數量。

此外,STx7N95K3系列的額定雪崩電流高于競爭產品,這個優(yōu)勢可確保產品能夠承受高于擊穿電壓的電涌,因為過高的浪涌電流會燒毀器件。新產品的額定雪崩電流為9A,而實力最接近的競爭品牌的900V產品的額定雪崩電流大約只有1A。

除更強的耐高壓能力外,STx7N95K3系列還實現了導通損耗最小化,導通電阻RDS(ON)被降至1.35歐姆以下。新產品的單位芯片面積導通電阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,設計人員
可以提高功率密度及能效。

同時,因為達成低柵電荷量(QG)和低本征電容,這些新的MOSFET還能提供優(yōu)異的開關性能,這個特性讓設計人員可以使用更高的開關頻率、尺寸更小的元器件,以進一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET實現這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導體的最新一代SuperMESH3技術。新產品采用工業(yè)標準封裝。STF7N95K3采用 TO-220FP封裝;STP7N95K3采用標準的TO-220封裝;STW7N95K3采用TO-247封裝。

隨后將推出的新產品是:950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出這些產品后,意法半導體還將在2009年推出后續(xù)產品,包括850V、950V、1050V和1200V系列產品。

STx7N95K3系列已投產。
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