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NTP641x和NTB641x:安森美發布12款100V N溝道MOSFET

發布時間:2010-02-10 來源:電子元件技術網

產品特點:

  • 導通阻抗(RDS(on))低至13mΩ
  • 電流能力高達76A
  • 經過100%雪崩測試
  • 通過AEC-Q101標準認證

應用范圍:

  • 工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器
  • 汽車中的直接燃氣噴射(DGI)

安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET系列,新增12款100V器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500mJ的領先雪崩額定值,非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。

安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器,以及汽車中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無鉛器件,符合RoHS指令,關鍵的規范特性包括:

  • 導通阻抗(RDS(on))低至13mΩ
  • 電流能力高達76A
  • 經過100%雪崩測試
  • 通過AEC-Q101標準認證

安森美半導體MOSFET產品部副總裁兼總經理Paul Leonard說:“為了應對開關電感型負載時潛在的大電壓尖峰,以及推動更高能效,安森美半導體的N溝道功率MOSFET提供強固及可靠的方案。我們100 V產品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇,幫助他們獲得適合他們特定應用的最優器件。”

NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN,采用無鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL,采用無鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55°C至+175°C。

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