-
STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開(kāi)發(fā)出了用于配備太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
-
方國(guó)健擔(dān)任BOSTON-POWER業(yè)務(wù)顧問(wèn)
快速擴(kuò)展的新一代鋰離子電池供應(yīng)商Boston-Power公司宣布電子業(yè)知名業(yè)者方國(guó)健將擔(dān)任這家屢獲殊榮的便攜式電源創(chuàng)新企業(yè)的業(yè)務(wù)顧問(wèn)。在新職位上，他將在業(yè)務(wù)發(fā)展、供應(yīng)鏈運(yùn)營(yíng)和政府部門(mén)關(guān)系方面為Boston-Power提供協(xié)助。
2009-02-23
-
STx42N65M5：ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
-
德州儀器收購(gòu)電源管理初創(chuàng)公司Ciclon
德州儀器(Texas Instruments Inc. )為了擴(kuò)大其模擬電源管理生產(chǎn)線，近日以未披露的價(jià)格收購(gòu)了Ciclon半導(dǎo)體器件公司(Ciclon Semiconductor Device Corp.)。
2009-02-16
-
E102Z：VISHAY新型超高精度Z箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) 近日推出新型超高精度 Bulk Metal Z 箔電阻 --- E102Z。該款電阻可在 ?55°C 到 +125°C 的溫度范圍內(nèi)提供達(dá)軍品級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的絕對(duì) TCR 值 (±0.2 ppm/°C)，容差為 ±0.005% (50 ppm)，在 +70oC 下工作 2000 小時(shí)的負(fù)載壽命穩(wěn)定性達(dá)到 ±0.005% (50 ppm)。E102Z 符合EEE-INST-002規(guī)格和MIL-PRF 55182 軍用標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)計(jì)用于非常規(guī)環(huán)境條件，漂移極小，適用于軍事、航空和醫(yī)療應(yīng)用。
2009-02-13
-
WSLT2010…18:Vishay推出2010封裝尺寸電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在 –65°C 到 +275°C 溫度范圍內(nèi)工作的 2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m 到 500-m）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-02-04
-
J151:CIT RELAY & SWITCH公司20A繼電器系列
CIT RELAY & SWITCH 公司近日推出J151型系列繼電器，其額定電流在輸入電壓為277 Vac或28 Vdc時(shí)高達(dá)20A，輸入電壓125 Vac時(shí)為1/2 HP(功率)。線圈額定電壓范圍從6Vdc到220Vdc.當(dāng)觸點(diǎn)排列從單刀單擲(SPST)到四刀雙擲(4PDT),線圈額定電壓范圍為6到240 Vac。
2009-01-22
-
美國(guó)第二大消費(fèi)電子產(chǎn)品零售商正式宣布破產(chǎn)
繼去年11月申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)后,上周末,美國(guó)第二大消費(fèi)電子產(chǎn)品零售商“電路城”(CircuitCityStoresInc.)正式宣布破產(chǎn),公司表示由于無(wú)法達(dá)成出售協(xié)議,截至今年3月底將關(guān)閉全美的567家連鎖店,屆時(shí),將有3萬(wàn)多員工面臨失業(yè)。
2009-01-21
-
DisplayPort規(guī)格的升級(jí)版2009年中期將面世
顯示器相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)化團(tuán)體VESA（Video Electronics Standards Association，視頻電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)）制定的數(shù)字接口規(guī)格“DisplayPort”的升級(jí)版“v1.2”，將于2009年中期確定技術(shù)指標(biāo)。VESA在面向媒體的發(fā)布會(huì)上介紹了升級(jí)版的方向。現(xiàn)行規(guī)格為“v1.1a”。
2009-01-19
-
WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測(cè)電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產(chǎn)品是業(yè)界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內(nèi)工作的2010 封裝尺寸電流感測(cè)電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
-
Stratum III：Focus EDL新型Stratum III 兼容式TCXO
Focus EDL 公司近日推出了一款新型的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器 (TXCO)，在 -40°C 到 +85°C 范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度為 ±0.28ppm，總頻率穩(wěn)定度為±4.6ppm，老化期為 20 年。根據(jù)制造商Raltron 電子公司介紹，新器件可提升 TXCO 在通信、測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用領(lǐng)域中的效能。
2009-01-13
-
ESDALCxx-1U2系列：ST全新ESD保護(hù)二極管
意法半導(dǎo)體推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測(cè)試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對(duì)調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。
2008-12-29
- 亦真科技XR奇遇！2025西部電博會(huì)開(kāi)啟VR密室/恐怖解密探險(xiǎn)之旅
- 攻克28G PAM4抖動(dòng)難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時(shí)鐘架構(gòu)
- 低至0.0003%失真！現(xiàn)代正弦波發(fā)生器如何突破純度極限
- 蓉城再掀技術(shù)革命！第三十屆國(guó)際電子測(cè)試測(cè)量大會(huì)聚焦射頻前沿
- 9.9元搶500元超值觀展禮包！深圳智能工業(yè)展早鳥(niǎo)福利限時(shí)開(kāi)搶
- 3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果榜單發(fā)布
- 第八屆中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單發(fā)布
- 選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
- 3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
