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提高DC/DC轉換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉換器的電磁兼容性，基于混沌現象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉換器控制策略。首先推導了能夠產生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對電流滯環控制策略的電流參考值進行擾動。從而擴展了電感電流的功率譜，降低了在開關頻率及其諧波頻率上發射的電磁干擾。仿真研究證明，該控制策略可以改善的DC/DC轉換器電磁兼容性能。
2008-10-09
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降低開關電源電磁干擾水平的研究
本文以一個能產生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號的電路為信號源,以Boost型DC/DC變換器為對象,研究混沌的性質對降低開關電源電磁干擾水平效果的影響。仿真結果表明:不同性質的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁干擾水平的效果。
2008-10-05
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AIS326DQ：ST針對汽車系統和工業應用MEMS加速度傳感器
意法半導體推出旗下首款的汽車質量級三軸MEMS加速度傳感器。新產品AIS326DQ符合AEC-Q100汽車產品質量標準。意法半導體充分發揮成功的MEMS八寸晶圓廠制造能力，以具有競爭力的價格為系統集成商提供MEMS前沿技術。
2008-10-01
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CCD數字相機的電源系統設計
為實現多路DC/DC轉換功能，提出一種開關型穩壓電源與線性穩壓電源相結合的系統設計方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的開關電源和線性穩壓電源的工作特性，并結合CCD相機的整體設計要求，實現了相機電源的功耗低、發熱量小、EMI干擾輕的設計目標。
2008-09-29
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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
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LY530AL：ST超小型GPS應用MEMS陀螺儀
通過提供可選的模擬或數字角速率絕對值輸出，意法半導體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設計靈活性，簡化集成難度，并節省外部元器件。全程量可測角速率高達每秒+/-300度，在直觀人機界面或增強型汽車導航GPS等應用中，意法半導體的全新陀螺儀可測量快速角位移。
2008-09-12
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EG-2102CA/EG-2121CA HCSL：Epson Toyocom SAW振蕩器
Epson Toyocom公司開發研制出適用于PCI Express 、FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) 、HCSL（高速電流驅動邏輯、High-speed Current Steering Logic） 輸出的低抖動 、低相位噪音 的表面聲波（SAW）振蕩器：EG-2102CA HCSL與EG-2121CA HCSL。
2008-09-02
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ASMT-MY09：安華高照明應用1W暖白光高功率LED產品
Avago 宣布推出一款新1W暖白光Moonstone高功率LED產品，適合各種建筑、商業、聚光燈、工作燈、背光以及裝飾照明等應用。Avago的ASMT-MY09 LED采用薄型化設計，可以以350 mA的驅動電流提供高達95流明(lm)的高光度輸出。
2008-08-07
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EPCOS開發出插入損耗低及抗干擾能力強的LAN模塊
為實現電氣隔離以及抑制共模干擾和差模干擾，愛普科斯(EPCOS)開發出磁性模塊，專門用于LAN（局域網）。該模塊有單、雙和四端口的型號可供選擇，符合IPC/JEDEC、J-STD-020C 和 IEEE 802.3標準的要求，其電氣隔離功能可抵御1500 V AC的電壓而不被擊穿。
2008-08-01
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MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應用高速開關
Maxim推出通過高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開關MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開關及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實現通過低壓控制信號對高壓模擬信號的有效控制。
2008-07-30
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STV250N55F3：意法半導體新250A功率MOSFET
意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。
2008-07-16
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
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