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高壓MOS在適配器產(chǎn)品上的應(yīng)用
電源適配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流輸入轉(zhuǎn)換為直流輸出）的開關(guān)電源；一般由控制 IC、MOS管、整流肖特基管、電阻電容、磁性材料、DC 線、外殼等元器件及部件組成，通過整流、變壓和穩(wěn)壓等轉(zhuǎn)換形式，為電子設(shè)備等提供所需要的電能形態(tài)。
2024-01-10
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百家跨國公司看中國丨意法半導(dǎo)體曹志平：持續(xù)完善在華產(chǎn)業(yè)鏈部署
在化合物半導(dǎo)體發(fā)展熱潮下，歐洲半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，以下簡稱“ST”）的動向備受關(guān)注。憑借早期與某全球知名電動汽車制造商推動相關(guān)器件在新能源汽車上應(yīng)用落地，ST在碳化硅器件市場占據(jù)著優(yōu)勢份額。據(jù)ST介紹，其在全球碳化硅MOSFET市場份額已超50%。
2024-01-08
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意法半導(dǎo)體公布2023年第四季度及全年財報和電話會議時間安排
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)將在2024年1月25日歐洲證券交易所開盤前公布2023年第四季度及全年財務(wù)數(shù)據(jù)。
2024-01-08
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用于電動汽車充電器應(yīng)用 PFC 的 SiC 器件
交流充電樁適合在家中或工作場所為電動汽車充電，因為目前車載充電器的額定功率通常達到11千瓦，充滿電需要8~10小時。然而，對于假期等長途旅行，消費者希望在休息期間充電更快。
2024-01-04
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?碳化硅助力實現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長， 也使設(shè)計工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-03
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
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貿(mào)澤和TE聯(lián)手發(fā)布新電子書，探討電動汽車和互聯(lián)交通的發(fā)展態(tài)勢
2023年12月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與全球知名的連接器和傳感器制造商TE Connectivity聯(lián)手發(fā)布了一本新電子書，探討電動汽車和快速發(fā)展的互聯(lián)交通的現(xiàn)況。這本新電子書重點介紹了一些新興工程主題，如V2X生態(tài)系統(tǒng)、5G車隊遠程信息處理、大功率電動汽車充電的未來以及其他設(shè)計趨勢，對電動汽車和互聯(lián)交通領(lǐng)域的電動交通革命提供了深刻見解。
2023-12-29
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鎧俠發(fā)布 2TB microSDXC 存儲卡
2023年12月20日,中國上海 — 全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)2TB microSDXC存儲卡,這對于智能手機用戶、內(nèi)容創(chuàng)作者和移動游戲玩家來說是一項突破性的進展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲更多內(nèi)容。
2023-12-29
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功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡
眾所周知，硅（Si）材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉，構(gòu)筑了遠比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今，碳化硅（SiC）材料作為一種衍生技術(shù)進入了市場——相比硅材料，它可以實現(xiàn)更高功率等級的功率轉(zhuǎn)換、更快的開關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。本篇博客探討了SiC材料如何提升產(chǎn)品性能以超越基于硅材料的領(lǐng)域，從而為我們?nèi)碌臄?shù)字世界創(chuàng)造下一代解決方案。
2023-12-25
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貿(mào)澤和ADI聯(lián)手發(fā)布電子書，就嵌入式安全提供多位專家的深入見解
2023年12月18日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與全球半導(dǎo)體知名企業(yè)Analog Devices, Inc. (ADI) 聯(lián)手發(fā)布一本新電子書，探討一些實用策略來幫助設(shè)計人員克服嵌入式安全所面臨的挑戰(zhàn)。
2023-12-20
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SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢
低電感電機有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應(yīng)電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。
2023-12-20
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集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助于增強系統(tǒng)魯棒性
理想二極管使用低導(dǎo)通電阻功率開關(guān)（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向電流行為，但沒有二極管的壓降損失。借助額外的背靠背MOSFET和控制電路，該解決方案可以提供更多的系統(tǒng)控制功能，例如優(yōu)先源選擇、限流、浪涌限制等。在傳統(tǒng)解決方案中，這些功能分散在不同的控制器中，因此實現(xiàn)完整的系統(tǒng)保護會很復(fù)雜且麻煩。這里我們將研究理想二極管的主要電路規(guī)格，并介紹一個應(yīng)用示例和新的理想二極管解決方案，該解決方案還在單個IC中集成了實現(xiàn)整體系統(tǒng)保護所需的其他功能。
2023-12-18
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