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蓄電池分級恒流充電電源設計方案
根據蓄電池分級恒流充電的要求，本文給出一種基于DSP、變參數積分分離PI 控制的新型蓄電池恒流充電電源的設計方案。介紹了電源的系統結構、工作原理、控制策略及軟件設計。目前該電源已投入工程使用，可對堿性或酸性蓄電池進行恒流循環和補充充電。
2011-12-22
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耦合電感SEPIC轉換器的優勢
端初級電感轉換器 (SEPIC) 能夠通過一個大于或者小于調節輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個降壓及升壓轉換器的作用以外，SEPIC 還具有最少的有源組件、一個簡易控制器和鉗位開關波形，從而提供低噪聲運行?？词欠袷褂脙蓚€磁繞組，是我們識別 SEPIC 的一般方法。這些繞組可繞于共用鐵芯上，其與耦合雙繞組電感的情況一樣，或者它們也可以是兩個非耦合電感的單獨繞組。設計人員通常不確定哪一種方法最佳，以及兩種方法之間是否存在實際差異。本文對每種方法進行研究，并討論每種方法對實際 SEPIC 設計產生的影響。
2011-12-21
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2012年全球半導體設備市場預計衰退10.8%
國際半導體設備材料產業協會（SEMI）公布最新全球半導體資本設備預估報告（SEMI Capital Equipment Forecast），今年全球半導體設備市場預估達418億美元，較去年小幅成長4.7％，但因經濟前景不確定性高，明年市場規模將較今年衰退10.8％，約來到372.8億美元。
2011-12-12
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通用示波器自動測試系統的設計
本系統采用在微機的I／O通道中插入一塊GPIB接口板(即IEEE-488接口板),來實現計算機和示波器校準儀之間的通信(包括程控命令,測量數據,儀器狀態信息的傳送)，可完成對示波器的多種參數的采集、測試和數據誤差的分析處理,完成測量結果的顯示、存儲、復查和輸出打印等操作。
2011-12-09
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2012年大尺寸液晶面板分辨率將達200ppi
NPD DisplaySearch最新季度大尺寸TFT-LCD面板出貨調查指出兩個趨勢，一是平板電腦用面板持續往更高分辨率方向發展，二是低成本直下式LED背光面板將逐漸成為TFT-LCD電視面板另一主流。并預測2012年第二季平板電腦顯示屏的平均分辨率將超過200ppi。
2011-12-05
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基于應用非隔離直流的直流轉換器
在直流-直流轉換器設計中，當輸入等于輸出時，如果仍然采用輸入與輸出不等時的轉換方法，轉換效率將得不到提高，此時可用幾種非隔離直流-直流轉換方法，包括SEPIC、降壓-升壓法以及降壓升壓電路組合法等。本文分析了其中四種方法，并對典型應用中的效率問題進行了特別關注。
2011-11-25
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CMOS電路IDDQ測試電路設計
針對CMOS集成電路的故障檢測，提出了一種簡單的IDDQ靜態電流測試方法，并對測試電路進行了設計。所設計的IDDQ電流測試電路對CMOS被測電路進行檢測，通過觀察測試電路輸出的高低電平可知被測電路是否存在物理缺陷。測試電路的核心是電流差分放大電路，其輸出一個與被測電路IDDQ電流成正比的輸出。測試電路串聯在被測電路與地之間，以檢測異常的IDDQ電流。測試電路僅用了7個管子和1個反相器，占用面積小，用PSpice進行了晶體管級模擬，實驗結果表明了測試電路的有效性。
2011-11-23
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LinkSwitch-PH：PI推出超薄封裝 LED驅動器IC用于熒光燈管替代
高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的世界領導者Power Integrations公司近日宣布已可供應采用eSIP?-7F（L封裝）的LinkSwitch-PH LED驅動器IC，封裝高度僅為2 mm。這種新封裝針對熒光燈管的LED替換燈（只有超薄封裝才能裝入LED電路板后面非常狹小的空間內）以及電路板高度受限的其他應用而設計。
2011-11-22
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幾種氣體檢測傳感器的檢測原理
檢測氣體的濃度依賴于氣體檢測變送器，傳感器是其核心部分，按照檢測原理的不同，主要分為金屬氧化物半導體式傳感器、催化燃燒式傳感器、定電位電解式氣體傳感器、迦伐尼電池式氧氣傳感器、紅外式傳感器、PID光離子化傳感器等，以下簡單闡述各種傳感器的原理及特點。
2011-11-18
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智能大功率軟啟動恒流源的設計
為了獲得穩定的大電流，本文設計了基于單片機控制的智能軟啟動大功率恒流源， 電流范圍0~8 A，最大峰值可達10 A。采用大功率運放OPA549 構成大電流恒流源，利用PID 控制算法實現了大功率電源的軟啟動和控制。該方法設計的電源在軟啟動過程中超調量很小，具有很好的穩定性；在恒流源工作時，穩定性也很好。
2011-11-16
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2011年全球數碼相機市場出貨量年成長率約5.6%
據光電協進會(PIDA )估計，2011年全球數碼相機市場出貨量約1億3,100萬臺，年成長率約5.6%，預估2012年全球出貨量將小幅成長到1億3,400萬臺，成長約2.3%。
2011-11-11
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采用電子束檢測技術輔助晶體管開發
涉足尖端技術研究工作的芯片制造商正在把無數新材料和奇特的器件結構結合起來，用于65nm及更低節點的量產。同時他們發現，在這些研究上的努力生產的結果還包括目前必須著手解決各器件各個層上出現的越來越多的細微的電缺陷和微小物理缺陷。在存儲器中，可能會出現多晶硅阻塞管道問題poly-plug piping problems，從而引起BPSG（硼磷硅酸鹽玻璃）孔隙問題。在邏輯領域，使用應變硅引起的應變硅位錯可能產生缺陷，有時這類缺陷直到后道工藝才顯露出來。
2011-11-09
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