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高頻變壓器的設計基礎
高頻變壓器的設計基礎

高頻鏈逆變技術用高頻變壓器代替傳統逆變器中笨重的工頻變壓器,大大減小了逆變器的體積和重量。在高頻鏈的硬件電路設計中,高頻變壓器是重要一環。

設計高頻變壓器首先應該從磁芯開始。開關電源變壓器磁芯多是在低磁場下使用的軟磁材料,它有較高磁導率,低的矯頑力,高的電阻率。磁導率高,在一定線圈匝數時,通過不大的激磁電流就能承受較高的外加電壓,因此,在輸出一定功率要求下,可減輕磁芯體積。磁芯矯頑力低,磁滯面積小,則鐵耗也少。高的電阻率,則渦流小,鐵耗小。鐵氧體材料是復合氧化物燒結體,電阻率很高,適合高頻下使用,但Bs值比較小,常使用在開關電源中。詳細閱讀>>

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高頻變壓器是工作頻率超過中頻(10kHz)的電源變壓器,主要用于高頻開關電源中作高頻開關電源變壓器,也有用于高頻逆變電源和高頻逆變焊機中作高頻逆變電源變壓器的。按工作頻率高低,可分為幾個檔次:10kHz- 50kHz、50kHz-100kHz、100kHz~500kHz、500kHz~1MHz、10MHz以上。

電源高頻變壓器設計步驟詳解

電源高頻變壓器設計步驟詳解

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在電源設計過程中,高頻變壓器的設計是一大難點。本文將通過一款反饋式電流不連續電源高頻變壓器的設計,為大家詳細講解電源高頻變壓器的設計步驟。當然,設計高頻變壓器的方法并不只有這一種,希望這一設計方法能對大家有所幫助。詳細閱讀>>

如何對高頻變壓器內部進行emi布線?

如何對高頻變壓器內部進行emi布線?

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很多工程師都知道開關電源變壓器在繞線時在原邊繞組和副邊繞組之間加一個繞組并接地可以起到屏蔽作用,但到底是怎么樣一個機理?有些工程師并沒有很好的理解。詳細閱讀>>

僅需五步!LED照明電源單級PFC高頻變壓器設計

僅需五步!LED照明電源單級PFC高頻變壓器設計

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一般來說,LED照明電源多數采用PFC設計,因為PFC不但節省空間,而且節約成本,這么好用的東西當然要和大家分享一下,下面教你五步搞定PFC高頻變壓器設計!希望對大家有所幫助!詳細閱讀>>

單片開關電源高頻變壓器的設計要點

單片開關電源高頻變壓器的設計要點

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單片開關電源集成電路具有高集成度、高性價比、最簡外圍電路、最佳性能指標等優點,能構成高效率無工頻變壓器的隔離式開關電源。在1994~2001年,國際上陸續推出了TOPSwitch、TOPSwitchⅡ、TOPSwitchFX、TOPSwitchGX、TinySwitch、TinySwitchⅡ等多種系列的單片開關電源產品,現已成為開發中、小功率開關電源、精密開關電源及開關電源模塊的優選集成電路。詳細閱讀>>

圖文并茂,手把手教繞制高頻變壓器!

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圖文并茂,手把手教繞制高頻變壓器!

特別注意:繞制方法為網上下載,其中變壓器繞制方法是對的,但其中存在著很多問題(比如,正規變壓器的繞組的頭和尾是要添加鐵氟龍套管的,每一層之間也得打擋墻增加絕緣,要使變壓器耦合好,通常的做法是三明治繞法,比如,1-3先繞35圈 然后10-9,然后3-2繞35圈,然后繞5-4Vcc繞組),只當做新手教學,新手可看下變壓器實際繞指的基本流程。詳細閱讀>>

淺析高頻變壓器中傳導EMI產生機理

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淺析高頻變壓器中傳導EMI產生機理

在開關電源中,輸入整流后的電流為尖脈沖電流,開關開通和關斷時變換器中電壓、電流變化率很高,這些波形中含有豐富的高頻諧波。另外,在主開關管開關過程和整流二極管反向恢復過程中,電路的寄生電感、電容會發生高頻振蕩,以上這些都是電磁干擾的來源。詳細閱讀>>

經典案例 經典案例
福利到!半橋高頻變壓器電路及波形

福利到!半橋高頻變壓器電路及波形

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福利到了,電子元件技術網的網友們,小編這里整理關于半橋高頻變壓器電路及波形,主要針對新手,適合作為參考資料供各位進行查閱,也可作為新手入門的指導。希望在閱讀過本篇文章之后能夠有所收獲。詳細閱讀>>

高頻變壓器的特性及優勢

高頻變壓器的特性及優勢

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高頻變壓器是工作頻率超過中頻(10kHz)的電源變壓器,主要用于高頻開關電源中作高頻開關電源變壓器,也有用于高頻逆變電源和高頻逆變焊機中作高頻逆變電源變壓器的。高頻變壓器有極好的溫升特性設計等特性。詳細閱讀>>

集成電路高頻變壓器的設計及參數詳解

集成電路高頻變壓器的設計及參數詳解

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隨著電源技術的不斷發展,電源系統的小型化、高頻化和大功率化已成為一個永恒的研究方向和發展趨勢。因此,研究使用頻率更高的電源變壓器是降低電源系統體積、提高電源輸出功率比的關鍵因素。詳細閱讀>>

高頻變壓器是工作頻率超過中頻(10kHz)的電源變壓器,主要用于高頻開關電源中作高頻開關電源變壓器,也有用于高頻逆變電源和高頻逆變焊機中作高頻逆變電源變壓器的。按工作頻率高低,可分為幾個檔次:10kHz- 50kHz、50kHz-100kHz、100kHz~500kHz、500kHz~1MHz、1MHz以上。傳送功率比較大的情況下,功率器件一般采用 IGBT,由于IGBT存在關斷電流拖尾現象,所以工作頻率比較低;傳送功率比較小的,可以采用MOSFET,工作頻率就比較高。

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