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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。
2022-12-30
FeFET 鐵電體 存儲器
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TVS在汽車拋負載應用選型設計
TVS作為浪涌抑制器，其應用涉及到通信與電源回路的方方面面，因為太過普遍，很多應用都是參考或延用過往設計，只知其保護效果而不知其根源，本章通過對于拋負載TVS選型計算展開分析，為新項目設計提供思路，該計算方式同樣適用于工業TVS選型應用。
2022-12-30
TVS 汽車拋負載 選型
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雙柵結構 SiC FETs 在電路保護中的應用
據介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商 UnitedSiC 公司的收購，就擴展 Qorvo 在高功率應用方面的市場機會，這部分業務也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
雙柵結構 SiC FETs 電路保護
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擴大40年期電源電壓范圍，從<300uA到3A無電阻電流檢測解決方案
測量系統中的電流是監測系統狀態的一種基本而有效的工具。隨著科技發展，電子或電氣系統在性能提升的同時，物理尺寸大大縮小，并降低了功耗和成本。每個電子設備都在監測自己的健康和狀態，而這些診斷提供了管理系統所需的重要信息，甚至決定了其未來的設計升級。
2022-12-28
電源電壓 無電阻電流檢測
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氮化鎵柵極驅動專利：RC負偏壓關斷技術之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。
2022-12-22
氮化鎵 柵極驅動 RC負偏壓關斷技術
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保護時間
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PCI－Express總線接口的布線規則
PCIE是一種典型的串行總線，本文是針對PCI-E接口的布線規則，這些規則是很多芯片廠商的設計指導，也是很多老工程師耳熟能詳的金科玉律。
2022-12-21
PCI－Express 總線接口
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LC低通濾波器原理及設計方法
前面提到過RC濾波器那么自然而然就存在LC濾波器，在汽車的電子控制器中幾乎每個控制器都會用到LC濾波器，特別是在電源輸入的地方可以獲得更好的EMI效果。
2022-12-21
LC低通濾波器
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Transphorm按功率段發布氮化鎵功率管可靠性評估數據
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數據。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止，基于超過850億小時的現場應用數據，...
2022-12-20
Transphorm 功率管 可靠性評估
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